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BAT720
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? NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 14 November 2012
3 of 10
NXP Semiconductors
BAT720
Schottky barrier diode
7. Characteristics
[1] Pulse test: tp
?
300
?s; ??0.02.
Table 7. Characteristics
Tj
=25?C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VF
forward voltage IF
=500mA
[1]
- - 550 mV
IR
reverse current VR
=35V
[1]
- - 100
?A
VR
=35V; Tj
=100?C
[1]
--10mA
Cd
diode capacitance f = 1 MHz; VR
= 0 V
60 - 90 pF
(1) Tamb
= 125
?C
(2) Tamb
=85?C
(3) Tamb
=25?C
(1) Tamb
= 125
?C
(2) Tamb
=85?C
(3) Tamb
=25?C
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig 2. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
mbk578
250 350 450 550
VF
(mV)
IF
(mA)
10?1150
103
102
10
1
(1)
(2)
(3)
006aac893
10-2
10-1
1
10
IR
(mA)
10-3
VR
(V)
04010 20
30
(1)
(2)
(3)
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